Électronique de puissance : Soitec et ZenSemi s'associent
Le fabricant français de matériaux semi-conducteurs Soitec et le fondeur chinois ZenSemi ont annoncé la conclusion d'un accord de collaboration stratégique.
www.soitec.com
Ce partenariat vise à lancer la production en volume de technologies BCD-sur-SOI (Bipolar-CMOS-DMOS sur Silicium-sur-Isolant) sur des plaques de 300 mm de diamètre. Les circuits intégrés issus de ce procédé seront destinés aux systèmes d'alimentation des centres de données d'intelligence artificielle, des véhicules électriques, de la robotique humanoïde et des applications industrielles.
Fourniture de substrats et objectifs industriels
Dans le cadre de cet accord, Soitec fournira ses substrats Power-SOI en 300 mm à ZenSemi. Ces puces de silicium d'ingénierie serviront de base matérielle pour le développement et l'augmentation des capacités d'un nouveau procédé de fabrication BCD-sur-SOI. En associant la production de ces substrats spécifiques aux capacités industrielles de la fonderie, les deux entreprises prévoient de mettre à disposition des concepteurs sans usine (fabless) et des fabricants de composants intégrés (IDM) une plateforme de production adaptée aux besoins du marché de la puissance.
Avantages techniques de l'architecture BCD-sur-SOI
La technologie BCD-sur-SOI présente des caractéristiques structurelles distinctes par rapport aux solutions traditionnelles BCD sur silicium massif (bulk) :
L'utilisation d'une isolation diélectrique totale permet d'éliminer les phénomènes de verrouillage parasite (latch-up) tout en limitant la diaphonie électrique et les effets parasites. Cette barrière physique rend possible la co-intégration dense, sur une seule et même puce, d'étages de puissance fonctionnant à haute tension et de circuits de contrôle basse tension hautement sensibles. L'architecture qui en résulte permet de répondre aux critères de densité de puissance ainsi qu'aux exigences de sécurité fonctionnelle (FuSa) des applications de nouvelle génération.
Les premières validations de silicium menées avec un client pilote sur un circuit de front-end analogique (AFE) à 18 canaux indiquent une réduction de la taille de la puce d'environ 30 % comparativement aux procédés BCD sur silicium massif. Ce résultat valide les capacités de miniaturisation de la surface de la puce et la résilience accrue des circuits.
Secteurs cibles et déploiement commercial
Le procédé en 300 mm est configuré pour répondre aux besoins techniques de plusieurs applications industrielles. Les débouchés incluent la distribution d'énergie pour les infrastructures de calcul liées à l'IA, les systèmes automobiles et robotiques soumis aux normes FuSa, ainsi que les systèmes de gestion de batterie (BMS) pour les véhicules électriques et les installations de stockage d'énergie.
La mise en œuvre de cette collaboration doit permettre à ZenSemi d'accélérer la montée en charge de ses capacités de production afin de fournir aux entreprises de conception chinoises et internationales des circuits intégrés de puissance plus compacts et optimisés en matière de coûts.
Publié par Youssef Belgnaoui, rédacteur pour Induportals.
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