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Les semi-conducteurs SiC de troisième génération dopent leurs performances
Destinée aux applicatios de mobilité électrique, la troisième génération de puces électroniques développée par Bosch offrent des performances supérieures de 20 % par rapport à la génération précédente.
www.bosch.com
Les semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) sont des composants qui contribuent à améliorer l’efficacité énergétique et l’autonomie des systèmes de puissance des véhicules électriques. Bosch a annoncé le lancement de la troisième génération de puces en SiC, en fournissant des échantillons aux constructeurs automobiles mondiaux pour la validation sur de leurs plateformes de propulsion électrique.
Évolution technologique des semi-conducteurs SiC
Les semiconducteurs en SiC fonctionnent à des fréquences de commutation plus élevées que les semi-conducteurs en silicium traditionnels, réduisant les pertes d’énergie et améliorant la gestion thermique. Cela permet d’atteindre une densité de puissance plus élevée dans les systèmes électroniques, avec un impact direct sur l’efficacité du véhicule électrique.
La troisième génération de puces électroniques développée par Bosch apporte des améliorations significatives. Selon l’entreprise allemande, les nouvelles puces offrent des performances supérieures de 20 % par rapport à la génération précédente, tout en étant plus compactes. Cette miniaturisation permet d’augmenter le nombre de dispositifs produits par wafer, avec des effets sur la scalabilité industrielle et les coûts unitaires. Depuis 2021, Bosch a déjà livré plus de 60 millions de puces SiC à travers le monde.
Applications aux systèmes de propulsion
Les semi-conducteurs SiC sont principalement intégrés dans les onduleurs et les systèmes de conversion de puissance, où ils régulent le flux d’énergie entre la batterie et le moteur électrique. Une meilleure efficacité de conversion se traduit par une réduction des pertes lors du transfert d’énergie et une utilisation plus efficace de la capacité de la batterie.
L’expansion de la production de semi-conducteurs SiC s’appuie sur des investissements importants. Bosch a consacré environ 3 milliards d’euros au développement des semi-conducteurs dans le cadre des programmes européens IPCEI dédiés à la microélectronique et aux technologies de communication.
La production de la troisième génération est assurée sur le site de Reutlingen, en Allemagne, sur des wafers de 200 mm. Début 2025, Bosch a acquis un second site de production à Roseville, aux États-Unis, actuellement en cours d’équipement avec des lignes de fabrication appropriées. L’entreprise prévoit d’y investir 1,9 milliard d’euros supplémentaires, avec des premières livraisons sous forme d’échantillons pour essais clients.
La répartition de la production entre l’Europe et les États-Unis contribue à renforcer la résilience de la chaine d'approvisionnement dans le secteur automobile, en limitant la dépendance à des régions spécifiques.
Perspectives de marché et montée en échelle
Selon les analyses de Yole Intelligence, le marché mondial des semi-conducteurs de puissance SiC devrait passer de 2,3 milliards de dollars en 2023 à environ 9,2 milliards de dollars d’ici 2029, principalement porté par l’électromobilité.
Bosch prévoit d’augmenter sa capacité de production pour atteindre des volumes de plusieurs centaines de millions d’unités, en réponse à la demande croissante de composants haute performance pour les véhicules électriques.
Procédé de fabrication et architecture des dispositifs
Un élément distinctif du développement de ces puces réside dans l’adaptation du « procédé Bosch », introduit initialement en 1994 pour la fabrication de capteurs. Cette technique de gravure permet de créer des structures verticales de haute précision dans le carbure de silicium. L’architecture obtenue augmente la densité de puissance des composants, améliorant leurs performances dans les systèmes de conversion d’énergie. Cette approche constitue l’un des fondements techniques de la troisième génération de semi-conducteurs SiC.
Publié par Maria Brueva, rédactrice pour Induportals – contenu adapté par l’IA.
www.bosch.com
Évolution technologique des semi-conducteurs SiC
Les semiconducteurs en SiC fonctionnent à des fréquences de commutation plus élevées que les semi-conducteurs en silicium traditionnels, réduisant les pertes d’énergie et améliorant la gestion thermique. Cela permet d’atteindre une densité de puissance plus élevée dans les systèmes électroniques, avec un impact direct sur l’efficacité du véhicule électrique.
La troisième génération de puces électroniques développée par Bosch apporte des améliorations significatives. Selon l’entreprise allemande, les nouvelles puces offrent des performances supérieures de 20 % par rapport à la génération précédente, tout en étant plus compactes. Cette miniaturisation permet d’augmenter le nombre de dispositifs produits par wafer, avec des effets sur la scalabilité industrielle et les coûts unitaires. Depuis 2021, Bosch a déjà livré plus de 60 millions de puces SiC à travers le monde.
Applications aux systèmes de propulsion
Les semi-conducteurs SiC sont principalement intégrés dans les onduleurs et les systèmes de conversion de puissance, où ils régulent le flux d’énergie entre la batterie et le moteur électrique. Une meilleure efficacité de conversion se traduit par une réduction des pertes lors du transfert d’énergie et une utilisation plus efficace de la capacité de la batterie.
L’expansion de la production de semi-conducteurs SiC s’appuie sur des investissements importants. Bosch a consacré environ 3 milliards d’euros au développement des semi-conducteurs dans le cadre des programmes européens IPCEI dédiés à la microélectronique et aux technologies de communication.
La production de la troisième génération est assurée sur le site de Reutlingen, en Allemagne, sur des wafers de 200 mm. Début 2025, Bosch a acquis un second site de production à Roseville, aux États-Unis, actuellement en cours d’équipement avec des lignes de fabrication appropriées. L’entreprise prévoit d’y investir 1,9 milliard d’euros supplémentaires, avec des premières livraisons sous forme d’échantillons pour essais clients.
La répartition de la production entre l’Europe et les États-Unis contribue à renforcer la résilience de la chaine d'approvisionnement dans le secteur automobile, en limitant la dépendance à des régions spécifiques.
Perspectives de marché et montée en échelle
Selon les analyses de Yole Intelligence, le marché mondial des semi-conducteurs de puissance SiC devrait passer de 2,3 milliards de dollars en 2023 à environ 9,2 milliards de dollars d’ici 2029, principalement porté par l’électromobilité.
Bosch prévoit d’augmenter sa capacité de production pour atteindre des volumes de plusieurs centaines de millions d’unités, en réponse à la demande croissante de composants haute performance pour les véhicules électriques.
Procédé de fabrication et architecture des dispositifs
Un élément distinctif du développement de ces puces réside dans l’adaptation du « procédé Bosch », introduit initialement en 1994 pour la fabrication de capteurs. Cette technique de gravure permet de créer des structures verticales de haute précision dans le carbure de silicium. L’architecture obtenue augmente la densité de puissance des composants, améliorant leurs performances dans les systèmes de conversion d’énergie. Cette approche constitue l’un des fondements techniques de la troisième génération de semi-conducteurs SiC.
Publié par Maria Brueva, rédactrice pour Induportals – contenu adapté par l’IA.
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