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Les Mosfet SiC de 5e génération gagnent en efficacité
Les Mosfet SiC de 5e génération de Rohm réduisent la résistance à l’état passant de 30 % à haute température, améliorant l'efficacité des systèmes de conversion d’énergie.
www.rohm.com
Rohm a développé ses Mosfet SiC de 5e génération de la série EcoSiC™, conçus pour réduire les pertes de puissance et améliorer les performances dans des applications à forte puissance telles que les groupes motopropulseurs de véhicules électriques, les alimentations pour serveurs d’IA et les systèmes énergétiques industriels. Les nouveaux composants reposent sur la technologie au carbure de silicium (SiC), qui gagne en adoption en raison de sa capacité à gérer des tensions, des températures et des fréquences de commutation élevées de manière plus efficace que les composants traditionnels à base de silicium.
Réduction de la résistance à l’état passant
Une amélioration clé des Mosfet SiC de 5e génération est la réduction de la résistance à l’état passant d’environ 30 % à une température de jonction de 175 °C par rapport aux dispositifs de 4e génération précédents, dans des conditions équivalentes de tension et de taille de puce.
Cette réduction est obtenue grâce à des améliorations structurelles et à des processus de fabrication optimisés, entraînant :
- Des pertes de conduction réduites : Amélioration de l’efficacité des systèmes de conversion d’énergie
- Une densité de puissance plus élevée : Augmentation de la capacité de sortie dans le même encombrement
- Des performances thermiques améliorées : Fonctionnement stable dans des environnements à haute température
Ces caractéristiques sont particulièrement pertinentes pour des applications telles que les onduleurs de traction dans les véhicules électriques, où la gestion thermique et l’efficacité ont un impact direct sur l’autonomie et la taille du système.
Soutien aux applications à forte puissance dans différents secteurs
Les derniers Mosfet SiC sont conçus pour une large gamme d’applications nécessitant une conversion d’énergie efficace :
Soutien aux applications à forte puissance dans différents secteurs
Les derniers Mosfet SiC sont conçus pour une large gamme d’applications nécessitant une conversion d’énergie efficace :
- Systèmes automobiles : Onduleurs de traction, chargeurs embarqués (OBC), convertisseurs DC-DC et compresseurs électriques dans les xEV
- Équipements industriels : Alimentations pour serveurs d’IA et centres de données, onduleurs photovoltaïques et systèmes de stockage d’énergie
- Mobilité avancée et automatisation : Applications telles que les systèmes eVTOL et les servomoteurs AC
Rohm a commencé à proposer des versions « bare die » des Mosfet SiC de 5e génération en 2025, avec un développement complet achevé en mars 2026. Les livraisons d’échantillons de composants discrets et de modules devraient débuter en juillet 2026.
L’entreprise prévoit d’élargir la gamme de produits avec d'autres tensions nominales et options de boîtier, tout en poursuivant le développement d’outils de conception et de support applicatif afin de faciliter l’intégration dans divers systèmes d’électronique de puissance.
Publié par Natania Lyngdoh, rédactrice pour Induportals — Contenu adapté par IA.
www.rohm.com
L’entreprise prévoit d’élargir la gamme de produits avec d'autres tensions nominales et options de boîtier, tout en poursuivant le développement d’outils de conception et de support applicatif afin de faciliter l’intégration dans divers systèmes d’électronique de puissance.
Publié par Natania Lyngdoh, rédactrice pour Induportals — Contenu adapté par IA.
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