Les MOSFET SiC ultra-compacts de Toshiba, en boîtier DFN8x8 de 650 V, améliorent la densité de puissance et l'efficacité des équipements industriels

Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») annonce des livraisons en volume de ses MOSFET en carbure de silicium (SiC) 650 V de 3e génération, en boîtier compact DFN8x8, pour équipements industriels : les modèles TW031V65C, TW054V65C, TW092V65C et TW123V65C. Une caractéristique importante du procédé de nouvelle génération de Toshiba est le faible coefficient de température de la résistance drain-source à l'état passant (RDS(ON)) des composants. Le faible facteur de mérite (FoM) RDS(ON) x charge grille-drain (Qgd) permet ainsi aux ingénieurs d'améliorer la densité de puissance et l'efficacité de nombreuses applications à haute tension, notamment les alimentations à découpage (switched-mode power supplies, SMPS), les bornes de recharge pour véhicules électriques (VE), les alimentations sans interruption (uninterruptible power supplies, UPS) et les onduleurs photovoltaïques (PV).

Le boîtier DFN8x8 monté en surface réduit le volume de plus de 90 % par rapport aux boîtiers à insertion de broches existants, tels que le TO-247 et le TO-247-4L(X), améliorant ainsi la densité de puissance des équipements tout en permettant un assemblage automatisé. Le montage en surface réduit également l'impédance parasite, diminuant ainsi les pertes de commutation et contribuant à un faible facteur de mérite (FoM), améliorant ainsi le rendement. Avec moins de chaleur à dissiper, les systèmes d'alimentation haute tension sont plus simples et plus compacts, ce qui les rend adaptés aux applications à espace restreint ou à la miniaturisation.

De plus, le composant multibroches permet une connexion Kelvin de sa broche signalsource pour la commande de grille. Cette fonctionnalité réduit l'influence de l'inductance dans le fil source du boîtier, assurant ainsi des performances de commutation à haut débit. Par conséquent, dans des conditions de test spécifiques (VDD = 400 V, VGG = +18/0 V, ID = 20 A, RG = 4,7 Ω, L = 100 µH), l'un des nouveaux produits, le TW054V65C, réduit les pertes à l'allumage d'environ 55 % et les pertes à l’extinction d'environ 25 % par rapport aux produits Toshiba existants, contribuant ainsi à diminuer les pertes de puissance des équipements.

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