Infineon produit ses premiers composants de puissance en SiC sur des wafers de 300 mm
Infineon Technologies annonce avoir fabriqué des composants de puissance fonctionnels en carbure de silicium (SiC) sur des wafers de 300 mm de diamètre, dans son usine de Villach, en Autriche.
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Le fabricant allemand indique avoir réalisé cette opération dans un environnement industriel de production de semi-conducteurs, en utilisant des équipements de fabrication initialement destinés aux wafers en silicium. Cette avancée constitue une étape vers l'industrialisation du SiC sur des substrats de 300 mm, alors que la production actuelle repose principalement sur des wafers de 200 mm.
Le passage à un diamètre de 300 mm présente un intérêt économique lié à l'augmentation du nombre de composants pouvant être fabriqués sur un même substrat. Selon Infineon, un wafer de 300 mm permet de produire environ 2,3 fois plus de puces qu'un wafer de 200 mm. Cette évolution pourrait ainsi contribuer à réduire les coûts de fabrication et à augmenter les volumes disponibles, sous réserve de la maîtrise des procédés de production à grande échelle.
Infineon n'a toutefois pas encore annoncé de calendrier de montée en cadence industrielle. Le développement de cette technologie et sa mise en production seront définis en concertation avec les clients et partenaires du groupe. En parallèle, le fabricant poursuit sa feuille de route de production de composants SiC sur des wafers de 200 mm.
Des applications dans la conversion d'énergie
Le carbure de silicium est notamment utilisé dans les composants de puissance destinés aux applications nécessitant des tensions élevées, une densité de puissance importante ou un fonctionnement à température élevée. Ses propriétés permettent de réduire les pertes lors de la conversion électrique et d'améliorer le rendement des systèmes.
Les applications visées comprennent les onduleurs de traction pour véhicules électriques, les chargeurs embarqués, les infrastructures de recharge, les systèmes de stockage d'énergie et les entraînements industriels. Infineon mentionne également les infrastructures électriques des centres de données dédiés à l'intelligence artificielle, où le SiC peut être utilisé dans les transformateurs statiques, les disjoncteurs électroniques et les alimentations électriques. Le groupe commercialise ces composants sous sa gamme CoolSiC.
Procédé de découpe des wafers en développement
En parallèle, Infineon a validé la faisabilité de son procédé Cold Split pour la séparation de wafers de SiC de 300 mm sur son site de Dresde, en Allemagne. Cette technologie vise à séparer les tranches du lingot de carbure de silicium en limitant les pertes de matière et le temps de traitement par rapport au sciage conventionnel au fil. Elle doit ainsi permettre d'obtenir davantage de wafers à partir d'un même cristal tout en réduisant les coûts d'équipement associés à cette étape de fabrication.
Ces deux développements s'inscrivent dans la stratégie du groupe visant à étendre la production de semi-conducteurs de puissance sur des substrats de grand diamètre. Infineon travaille déjà sur le silicium et le nitrure de gallium (GaN) en 300 mm. Le 27 octobre 2026, l'entreprise avait annoncé un investissement d'environ 1,1 milliard d'euros dans une nouvelle capacité de production en volume de composants GaN sur wafers de 300 mm, également sur son site de Villach.
Infineon présentera un premier wafer de SiC de 300 mm fabriqué sur son site industriel au salon electronica, qui se tient à Munich du 10 au 13 novembre 2026.
Publié par Youssef Belgnaoui, rédacteur pour Induportals.
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