MOSFET de Puissance 80 V pour Systèmes 48 V Automobiles

ROHM a lancé la série AG16xFNxx de MOSFET de puissance 80 V, spécialement conçus pour les nouveaux systèmes d'alimentation automobile 48 V. Ce matériel constitue une alternative très efficace et peu encombrante aux composants standard de 100 V pour une utilisation dans les circuits de commande des onduleurs principaux, les moteurs électriques et les pompes à eau électriques.

Transition vers les Architectures d'Alimentation Automobile 48 V
Dans le secteur automobile, l'augmentation des besoins électriques dans les modèles de véhicules haut de gamme entraîne une transition des réseaux conventionnels de 12 V vers des systèmes d'alimentation de 48 V. Ce changement d'architecture, qui devrait être largement mis en œuvre d'ici la fin de la décennie, nécessite des composants semi-conducteurs qui optimisent l'efficacité énergétique. En utilisant des MOSFET de puissance 80 V au sein de l'écosystème de données automobiles, les ingénieurs peuvent atteindre des pertes de puissance inférieures à celles généralement observées dans les composants 100 V standard, améliorant ainsi l'efficacité globale de la distribution d'énergie du véhicule.

Réduction de Taille et Mécanismes de Fiabilité des Circuits Imprimés
Le nouveau matériel permet une réduction significative de l'espace sur la carte par rapport aux boîtiers MOSFET automobiles standard tels que le TO-252, qui mesure 6,6 sur 10,0 millimètres. Le nouveau AG160FNS4FRA utilise le boîtier HPLF5060 mesurant 4,9 sur 6,0 millimètres, tandis que le AG166FNH7FRA utilise le boîtier DFN3333 de seulement 3,3 sur 3,3 millimètres.

Pour maintenir l'intégrité structurelle sur les cartes de circuits imprimés sous contraintes thermiques et mécaniques, le HPLF5060 intègre des broches en aile de mouette, et le DFN3333 utilise la technologie des flancs mouillables. Les deux boîtiers intègrent la technologie de jonction par clip en cuivre pour maximiser la dissipation de la chaleur, ce qui réduit la résistance thermique et permet aux composants de gérer en toute sécurité des courants continus élevés. Toutes les configurations sont certifiées conformes à la norme de fiabilité automobile AEC-Q101.

État de la Production et Développement Futur des Boîtiers
La production en série des modèles AG160FNS4FRA et AG166FNH7FRA a débuté en avril 2026, avec des canaux de distribution actifs par le biais de fournisseurs tels que DigiKey et Farnell. Des efforts d'ingénierie sont également en cours pour étendre cette gamme de composants 80 V avec des boîtiers TOLG (TO-Leaded avec broches en aile de mouette), qui mesureront 9,9 sur 11,7 millimètres, afin de prendre en charge des spécifications de puissance plus élevées dans des applications de transmission plus importantes.

Contexte Supplémentaire
Cette section détaille les spécifications techniques et l'analyse comparative de la concurrence qui ne sont pas incluses dans le communiqué de presse initial.

Sur le marché des semi-conducteurs automobiles, les MOSFET trench 80 V sont rigoureusement évalués en fonction de leur résistance à l'état passant drain-source et de leur résistance thermique jonction-boîtier. Des offres comparables provenant de fournisseurs de premier rang bien établis, telles que la série automobile OptiMOS d'Infineon ou les MOSFET trench de Nexperia, utilisent une liaison similaire par clip en cuivre dans des empreintes standard de 5x6 millimètres afin de minimiser l'inductance parasite et d'obtenir une faible résistance à l'état passant. De plus, la mise en œuvre de flancs mouillables dans les boîtiers DFN est devenue une référence standard dans l'industrie. Cette caractéristique spécifique du boîtier garantit des congés de soudure visibles, permettant une inspection optique automatisée lors de l'assemblage des circuits imprimés — une étape de contrôle qualité obligatoire pour l'électronique automobile que les boîtiers standard à broches plates ne peuvent pas prendre en charge de manière fiable.

Publié avec l’assistance de l’IA par Aishwarya Mambet, rédactrice pour Induportals.

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