Le Mosfet DTMOSVI 600 V s’intègre dans un boîtier compact
Toshiba Electronics Europe propose un Mosfet de puissance 600 V à canal N et structure de super jonction, fabriqué selon le procédé DTMOSVI 600 V et logé dans un boîtier compact DFN8×8.
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Le Mosfet de la série TK057V60Z présente une tension drain-source (VDSS) de 600 V et un courant de drain (ID) maximal de 40 A. La résistance drain-source à l'état passant (RDS(ON)) typique est de seulement 0,047 Ω (0,057 Ω max.) et la charge grille-drain (Qgd) typique peut être aussi faible que 15 nC. Ce composant à haut rendement et en format compact optimise la densité de puissance des équipements industriels. Il convient aux alimentations à découpage pour serveurs de centres de données, aux alimentations sans interruption et aux conditionneurs de puissance pour installations photovoltaïques.
Dans la série DTMOSVI 600 V, qui inclut le Mosfet TK057V60Z, Toshiba a mis en œuvre une conception et un processus de grille optimisés afin d'obtenir une réduction d'environ 36 % du facteur de mérite (FoM), défini comme RDS(ON) x Qg, et d'environ 52 % de RDS(ON) x Qdg, par rapport à la génération précédente de la série DTMOSIV-H de même tension nominale. Ces améliorations réduisent les pertes par conduction, les pertes de commande et les pertes de commutation. Ce qui optimise significativement l’efficacité des circuits d’alimentation. De plus, l'adoption du boîtier DFN8×8 à montage en surface permet de réduire les dimensions de leurs équipements finaux. Une broche de source Kelvin assure une commande précise de la grille et contribue à éviter l'impact de l'inductance parasite sur la broche d'alimentation.
Toshiba propose des outils qui visent à faciliter la conception de circuits pour alimentations à découpage. Outre le modèle GO Spice, qui vérifie rapidement le fonctionnement du circuit, des modèles G2 SPICE de haute précision sont désormais disponibles pour reproduire fidèlement les caractéristiques transitoires.
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